Substrate für die Elektronik:

Aluminiumnitrid (ALN)-Substrat

Als einziger Werkstoff der Technischen Keramik weist Aluminiumnitrid (ALN) die äußerst interessante Kombination von sehr hoher Wärmeleitfähigkeit und sehr guter elektrischer Isolationsfähigkeit auf.

Besondere Eigenschaften:

Sehr hohe Wärmeleitfähigkeit (>170 W/mK)
Hohes elektrisches Isolationsvermögen (>1x10¹² Ω/cm)
Festigkeit nach der Doppelringmethode >320 MPa (Biaxialfestigkeit)
Geringe Wärmedehnung 4 bis 6x10-6K -1 (zwischen 20 und 1000°C)
Gute Metallisierbarkeit

Aluminiumnitrid ist deshalb prädestiniert für den Einsatz in der Leistungs- und Mikroelektronik und wird zum Beispiel als Schaltungsträger (Substrat) für den Halbleiterbau oder als Kühlkörper in der LED-Lichttechnik oder Hochleistungs-Elektronik eingesetzt.

RoHS-Konform